IPD5N25S3-430

产品描述

MOSFET Infineon MOSFETs

内部编号

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数量:2087

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美国加州
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规格书
安装风格	SMD/SMT
配置	Single
晶体管极性	N-Channel
连续漏极电流	5 A
系列	IPD5N25
RDS（ON）	430 mOhms
封装	Reel
功率耗散	41 W
最低工作温度	- 55 C
封装/外壳	TO-252
栅极电荷Qg	4.7 nC
典型关闭延迟时间	8 ns
零件号别名	IPD5N25S3430ATMA1 SP000876584
上升时间	2 ns
最高工作温度	+ 175 C
漏源击穿电压	250 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	5 ns
工厂包装数量	2500
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	250 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
宽度	6.22 mm
Qg - Gate Charge	4.7 nC
品牌	Infineon Technologies
通道数	1 Channel
晶体管类型	1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current	5 A
长度	6.5 mm
Rds On - Drain-Source Resistance	430 mOhms
通道模式	Enhancement
身高	2.3 mm
典型导通延迟时间	3 ns
Pd - Power Dissipation	41 W
技术	Si

型号	厂家	产品描述
IPD5N25S3430ATMA1	Infineon Technologies AG	MOSFET

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